I. Méthodes de purification de l’argon :
Le premier type
Désoxydation directe : Cette méthode consiste à faire réagir des métaux actifs ou des catalyseurs avec l’oxygène présent dans le gaz d’argon afin d’éliminer la teneur en oxygène et ainsi réaliser la désoxydation. Par la suite, des tamis moléculaires sont utilisés pour absorber l’humidité du gaz d’argon, réduisant sa teneur en eau à moins de 1 ppm.
Le deuxième type
Il utilise un matériau getter. À une température spécifique, ce matériau peut absorber des gaz tels que l’azote, l’hydrogène, l’oxygène, le monoxyde de carbone, le dioxyde de carbone et le méthane. Après ce processus d’absorption, la pureté de l’argon peut atteindre 6 neuf. Les gaz à haute pureté produits par ce procédé sont adaptés à un large éventail d’applications en instrumentation et en métrologie.
La première méthode requiert un faible investissement en équipement, tandis que la seconde offre une pureté de purification élevée mais implique un investissement relativement plus important.
2. Paramètres techniques :
1. Capacité de traitement du gaz : 5 à 3000 Nm³/h (des équipements non standard peuvent être commandés sur mesure en fonction des exigences de l’utilisateur)
2. Exigences en matière de gaz brut : l’argon liquide ou l’argon de pipeline de haute qualité peuvent tous deux être utilisés.
3. La pression de service est réglable de 0,2 à 1,6 MPa.
4. (Purificateur d’argon) Efficacité de purification : après purification, la pureté atteint et dépasse l’exigence de 99,9996 % spécifiée dans la norme GB/T 4842-2006.
Pureté du gaz (%) H2 (ppm) O2 (ppm) N (ppm) CO2 (ppm) CH4 (ppm) Point de rosée (H2O)
Argon pur 99,9996 ≤0,5 ≤0,5 ≤0,5 ≤0,5 ≤0,5 ≤1,5
3. Caractéristiques de l'équipement :
1. Le purificateur se caractérise par son excellente capacité d’adsorption et son fort taux d’absorption des gaz impurs, avec un degré de pureté supérieur à 99,99999 %.
2. Le purificateur utilise une structure et une méthode de chargement spécifiques, avec un débit d’air judicieusement conçu et une répartition uniforme du flux d’air.
3. Toutes les canalisations sont des tubes à étirage de précision conformes aux normes de qualité BA, tant à l’intérieur qu’à l’extérieur. Des robinets à bille à compression importés sont utilisés afin d’éliminer totalement la contamination secondaire du gaz lors de son passage dans le réseau de tuyauterie.
4. Structure à deux étages : après la mise en service, un ensemble est en fonctionnement tandis que l’autre effectue la régénération et reste en veille. En outre, les unités de purification semi‑automatiques de la série RZ‑YA‑C assurent automatiquement à la fois le fonctionnement et la régénération, ce qui permet une alimentation continue en gaz – autrement dit, une seule unité peut efficacement remplacer deux unités à un seul étage.
5. Description fonctionnelle de l’unité de purification d’argon entièrement automatique de la série RZ-YA-D fabriquée par notre entreprise :
A. Il offre un fonctionnement entièrement automatique et est d’une utilisation simple : le démarrage et l’arrêt de la machine ne nécessitent que l’appui sur deux boutons — aucune vanne n’a besoin d’être actionnée. Toutes ces opérations sont gérées automatiquement par le programme PLC. Cela élimine également les impuretés du gaz dues aux erreurs humaines dans les modèles manuels et semi‑automatiques, ce qui se traduit par une qualité de gaz pur plus stable.
B. Le contrôleur d’affichage du texte utilise un écran tactile LCD de 7 pouces de la marque commune Kunluntongtai, qui permet une simulation en temps réel de l’état du flux de travail et l’affichage de divers paramètres, tout en autorisant le réglage de chaque paramètre à tout moment, ce qui simplifie considérablement les opérations du personnel.
C. Un analyseur en ligne peut être équipé, selon les besoins de l’utilisateur, pour une surveillance en temps réel et en ligne.
4. Domaines d’application :
Cette gamme d’unités de purification de l’argon est utilisée dans les stations de remplissage de gaz à haute pureté, les opérations de soudage, la fabrication d’acier inoxydable et la métallurgie. Elle est également employée dans les procédés de fabrication des semi‑conducteurs, tels que le dépôt chimique en phase vapeur, la croissance cristalline, l’oxydation thermique, l’épitaxie, la diffusion, la production de silicium polycristallin, le dépôt de tungstène, l’implantation ionique, le transport des porteurs de charge et le frittage — où l’argon sert de gaz de protection pour la production de silicium monocristallin comme polycristallin.